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第九代 v-nand 文章 最新資訊

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴

  • 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
  • 關鍵字： 內(nèi)存  NAND  DRAM  

第二季度NAND收入環(huán)比增長22%

  • TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環(huán)比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
  • 關鍵字： NAND  Flash  TrendForce  

美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響

  • 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運營，但不會批準產(chǎn)能擴張或技術升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
  • 關鍵字： 三星  海力士  晶圓廠  NAND  

三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃

  • 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  NAND  

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證

  • 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
  • 關鍵字： 美光  內(nèi)存  NAND  

中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

  • (圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產(chǎn)能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達到每月
  • 關鍵字： 長江存儲  NAND  內(nèi)存  

中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)

  • 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
  • 關鍵字： CXMT  YMTC  DRAM  NAND  

NAND Flash合約價 Q3看漲10%

  • 根據(jù)TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產(chǎn)品，帶動出貨規(guī)模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
  • 關鍵字： NAND Flash  

美光突破PC性能邊界，推出自適應寫入技術與G9 QLC NAND

  • SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統(tǒng)性能至關重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應寫入技術（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
  • 關鍵字： 美光  自適應寫入  QLC NAND  

DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平

  • TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價格預期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價格進入高檔區(qū)間，供應商正逐步釋出庫存，預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
  • 關鍵字： DDR4  NAND  

如何讓QLC技術成為主流？

  • 縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
  • 關鍵字： AI推理  QLC  NAND Flash  

HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

  • 韓國頂尖國家級研究機構 KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
  • 關鍵字： HBM.NAND  

芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務

  • 上半年，時至過半?；仡欉@半年的半導體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領域。在這個過程中會對半導體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
  • 關鍵字： DDR3  DDR4  NAND  HDD  

三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術

  • 據(jù)消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
  • 關鍵字： 三星  MLC NAND  TLC  QLC  

臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價蠢動

  • 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長期將出現(xiàn)短缺。 供應鏈業(yè)者同步透露，金價持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長，NAND Flash控制芯片等領域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機會受惠。多家BT載板業(yè)者證實，確實2025年5月上旬時，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進一步向BT載板供應鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
  • 關鍵字： 臺積電  CoWoS  BT載板基材  NAND  主控芯片  
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第九代 v-nand介紹

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